На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TPC8207(TE12L) | TPC8207(TE12L,Q) | TPC8207(TE12L,Q,M) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOP | 8-SOP | |
Виробник | Виробник | Toshiba | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <750 мВт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.01 нФVds = 10V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <6 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 4.8A, 4V | ||
Заряд затвору | QG | 22 нCVgs = 5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||