На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STS7C4F30L | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.05 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <22 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | STripFET™ |
Заряд затвору | QG | 23 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <4 А |