На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SIB914DK-T1-GE3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 125 пФVds = 4V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <8 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <113 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 2.6 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |