На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SIB911DK-T1-E3 | SIB911DK-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.1 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 115 пФVds = 10V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.5 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <295 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V | |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 4 нCVgs = 8V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |