На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SIA911DJ-T1-E3 | SIA911EDJ-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.9 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 355 пФVds = 10V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.6 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <94 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V | <101 мОмId, Vgs = 2.7A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 12.8 нCVgs = 8V | 11 нCVgs = 8V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |