На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI9933BDY-T1-E3 | SI9933CDY-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.1 Вт | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | (не задано) | 665 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.6 А | <4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 4.7A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 9 нCVgs = 4.5V | 26 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |