На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI7980DP-T1-GE3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <3.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.01 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <8.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <22 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Заряд затвору | QG | 27 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <11 А |
Постійна потужність, що може розсіюватись другим транзистором | P2 | <3.4 Вт |