На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI7962DP-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.4 Вт |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <7.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <17 мОмId, Vgs = 11.1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 70 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |