На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI7958DP-T1-E3 | SI7958DP-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.4 Вт | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <7.2 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <16.5 мОмId, Vgs = 11.3A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 75 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |