На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI7872DP-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.4 Вт |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <6.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <22 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V |
Заряд затвору | QG | 11 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |