На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI7222DN-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 700 пФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <42 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 29 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |