На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI5519DU-T1-GE3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® ChipFet Dual |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2.27 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 660 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <36 мОмId, Vgs = 6.1A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 17.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <4.8 А |