На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI4816BDY-T1-E3 | SI4816BDY-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1 Вт | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.8 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <18.5 мОмId, Vgs = 6.8A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 10 нCVgs = 5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <8.2 А | |
Постійна потужність, що може розсіюватись другим транзистором | P2 | <1.25 Вт | |