На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI4567DY-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.85 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 355 пФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 12 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <3.6 А |
Постійна потужність, що може розсіюватись другим транзистором | P2 | <1.95 Вт |