На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI1988DH-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <740 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 110 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <168 мОмId, Vgs = 1.4A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 4.1 нCVgs = 8V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |