На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI1029X-T1-E3 | SI1029X-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <250 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 30 пФVds = 25V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <305 мА | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3 ОмId, Vgs = 200mA, 4.5V | <1.4 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 750 пCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <190 мА | |