На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI1025X-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <250 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 23 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <190 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 1.7 нCVgs = 15V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |