На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PMWD16UN,518 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-TSSOP |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <3.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.366 нФVds = 16V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <9.9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <19 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ |
Заряд затвору | QG | 23.6 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |