NTUD3170N

NTUD3170N, NTUD3170NZT5G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTUD3170NZT5G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-963
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<125 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
12.5 пФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<220 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
2 N-Channel (Dual)
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1.5 ОмId, Vgs = 100mA, 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2