На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTLJD2105LTBG | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-WDFN |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <520 мВт |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <8 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 4A, 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |