На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTJD5121NT1G | NTJD5121NT2G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | (не задано) |
Потужність | P | <250 мВт | (не задано) |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 26 пФVds = 20V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | (не задано) |
Постійний струм стоку | IDSS | <295 мА | (не задано) |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | (не задано) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 900 пCVgs = 4.5V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | (не задано) |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |