NTJD4158CT1G

NTJD4158, NTJD4158CT1G, NTJD4158CT2G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTJD4158CT1GNTJD4158CT2G
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<270 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
33 пФVds = 5V
Постійний струм стоку
IDSS
<250 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
N and P-Channel
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1.5 ОмId, Vgs = 10mA, 4.5V
Заряд затвору
QG
1.5 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Постійний струм стоку другого транзистора
IDSS2
<880 мА