На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTJD4105CT1G | NTJD4105CT2 | NTJD4105CT2G | NTJD4105CT4 | NTJD4105CT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | ||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <270 мВт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 46 пФVds = 20V | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <630 мА | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <375 мОмId, Vgs = 630mA, 4.5V | ||||
Заряд затвору | QG | 3 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <775 мА | ||||