На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTJD2152PT1 | NTJD2152PT1G | NTJD2152PT2 | NTJD2152PT2G | NTJD2152PT4 | NTJD2152PT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <270 мВт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 225 пФVds = 8V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <8 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <775 мА | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <300 мОмId, Vgs = 570mA, 4.5V | |||||
Заряд затвору | QG | 4 нCVgs = 4.5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||||