На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MTM78E2B0LBF | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | Panasonic - SSG |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <150 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.1 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <25 мОмId, Vgs = 2A, 4V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |