На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTL2X180N10T | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | ISOPLUSi5-Pak™ |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <150 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.9 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMV™ |
Заряд затвору | QG | 151 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |