На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7751GTRPBF | IRF7751TR | IRF7751TRPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-TSSOP | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <1 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.464 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.5 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <35 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 44 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||