На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7555TR | IRF7555TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Micro8™ | |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.25 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.066 нФVds = 10V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <4.3 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <55 мОмId, Vgs = 4.3A, 4.5V | |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |