На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7341IPBF | IRF7341PBF | IRF7341QPBF | IRF7341QTRPBF | IRF7341TR | IRF7341TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <2 Вт | <2 Вт | <2.4 Вт | <2.4 Вт | <2 Вт | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.7 А | <4.7 А | <5.1 А | <5.1 А | <4.7 А | <4.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||
Заряд затвору | QG | 36 нCVgs = 10V | 36 нCVgs = 10V | 44 нCVgs = 10V | 44 нCVgs = 10V | 36 нCVgs = 10V | 36 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||||