На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7338PBF | IRF7338TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | SO-8 |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 640 пФVds = 9V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <12 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <6.3 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <34 мОмId, Vgs = 6A, 4.5V | |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 8.6 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <3 А | |