На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7314PBF | IRF7314QPBF | IRF7314QTRPBF | IRF7314TR | IRF7314TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2 Вт | <2.4 Вт | <2.4 Вт | <2 Вт | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 780 пФVds = 15V | 913 пФVds = 15V | 913 пФVds = 15V | 780 пФVds = 15V | 780 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <5.3 А | <5.2 А | <5.2 А | <5.3 А | <5.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <58 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 5.2A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 5.2A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 29 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||