На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7304PBF | IRF7304QPBF | IRF7304QTRPBF | IRF7304TR | IRF7304TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 610 пФVds = 15V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.3 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 2.2A, 4.5V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 22 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||