На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HCT802TX | HCT802TXV | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Non-Standard SMD | |
Виробник | Виробник | TT Electronics/Optek Technolog | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <500 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 70 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <90 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 1A, 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <1.1 А | |