На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HAT2210R | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOP |
Виробник | Виробник | Renesas Technology America |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 630 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <7.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <24 мОмId, Vgs = 3.75A, 10V |
Заряд затвору | QG | 4.6 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |