На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | GWM160-0055X1-SL | GWM160-0055X1-SLSAM | GWM160-0055X1-SMD | GWM160-0055X1-SMDSAM | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Through Hole | Through Hole | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж |
Виробник | Виробник | IXYS | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <150 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.3 мОмId, Vgs = 100A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 105 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 6 | |||