FDW9926N

FDW9926N, FDW9926NZ

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDW9926NZ
Корпус мікросхеми
Корпус
8-TSSOP
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1.1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
600 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<4.5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
2 N-Channel (Dual)
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<32 мОмId, Vgs = 4.5A, 4.5V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
8 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2