На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDS8949 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <900 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 955 пФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <29 мОмId, Vgs = 6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® |
Заряд затвору | QG | 11 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |