На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDS4935A | FDS4935BZ | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <900 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.233 нФVds = 15V | 1.36 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <7 А | <6.9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <23 мОмId, Vgs = 7A, 10V | <22 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | |
Заряд затвору | QG | 21 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |