На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDG6332C | FDG6332C_F085 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <300 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 113 пФVds = 10V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <700 мА | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <300 мОмId, Vgs = 700mA, 4.5V | |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 1.5 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <600 мА | |