На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDD3510H | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (4 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 800 пФVds = 40V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <80 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <80 мОмId, Vgs = 4.3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® |
Заряд затвору | QG | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <2.8 А |