На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDC6302P | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-SSOT, SuperSOT-6 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <700 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <120 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10 ОмId, Vgs = 200mA, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 310 пCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |