На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FD6M016N03 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EPM15 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11.535 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.6 мОмId, Vgs = 40A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | Power-SPM™ |
Заряд затвору | QG | 295 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |