На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DMN2040LSD-13 | DMN2040LTS-13 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2 Вт | <890 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 562 пФVds = 10V | 570 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <7 А | <6.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <26 мОмId, Vgs = 6A, 4.5V | |
Заряд затвору | QG | (не задано) | 5.2 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |