DMG1016U

DMG1016U, DMG1016UDW-7

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDMG1016UDW-7
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<330 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
60.67 пФVds = 16V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<1.07 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N and P-Channel
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<450 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V
Заряд затвору
QG
730 пCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
Постійний струм стоку другого транзистора
IDSS2
<845 мА