На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSO203PT | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SO-8 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.242 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <8.2 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <21 мОмId, Vgs = 8.2A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ |
Заряд затвору | QG | 48.6 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |