На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTM50HM75FT3G | APTM50HM75FTG | APTM50HM75SCTG | APTM50HM75STG | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP3 | SP4 Module | SP4 Module | SP4 Module |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |||
Потужність | P | <357 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.6 нФVds = 25V | 5.6 нФVds = 25V | 5.59 нФVds = 25V | 5.6 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <46 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 4 N-Channel (H-Bridge) | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 23A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 123 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 4 | |||