На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTM50H10FT3G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP3 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Потужність | P | <312 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.367 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <37 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <120 мОмId, Vgs = 18.5A, 10V |
Заряд затвору | QG | 96 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 4 |