На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTM50AM38FTG | APTM50AM38SCTG | APTM50AM38STG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP4 Module | ||
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | ||
Потужність | P | <694 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11.2 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <90 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Half Bridge) | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <45 мОмId, Vgs = 45A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 246 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||