На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTM50AM19FG | APTM50AM19STG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP6 | |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Потужність | P | <1.136 кВт | <1.25 кВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 22.4 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <163 А | <170 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <22.5 мОмId, Vgs = 81.5A, 10V | <19 мОмId, Vgs = 85A, 10V |
Заряд затвору | QG | 492 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |