На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTM20AM05FG | APTM20AM05FTG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP6 | |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Потужність | P | <1.136 кВт | <1.25 кВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 27.4 нФVds = 25V | 40.8 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <317 А | <333 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5 мОмId, Vgs = 158.5A, 10V | <5 мОмId, Vgs = 166.5A, 10V |
Заряд затвору | QG | 448 нCVgs = 10V | 1.184 мкCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |